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‘PG电子’7nm制程将成台积电力压英特尔主战场

发展历程 / 2021-11-23 00:25

本文摘要:安谋(ARM)与台积电联合宣告一项为期多年的协议,针对7纳米FinFET制程技术展开合作,还包括提供支援未来低功耗、高效能运算系统单晶片(SoC)的设计解决方案。这项协议沿袭先前使用ARMArtisan基础实体IP之16纳米与10纳米FinFET的合作。 事实上,以台积电目前先进设备制程之生产时程来看,归属于同一世代的10纳米、7纳米工程进度早已平上,甚至打破竞争对手英特尔(Intel)。

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安谋(ARM)与台积电联合宣告一项为期多年的协议,针对7纳米FinFET制程技术展开合作,还包括提供支援未来低功耗、高效能运算系统单晶片(SoC)的设计解决方案。这项协议沿袭先前使用ARMArtisan基础实体IP之16纳米与10纳米FinFET的合作。  事实上,以台积电目前先进设备制程之生产时程来看,归属于同一世代的10纳米、7纳米工程进度早已平上,甚至打破竞争对手英特尔(Intel)。  台积电先进设备制程10纳米、7纳米、5纳米等部分,所有制程皆onschedule10纳米制程2016第1季已完成产品认证,而10纳米/7纳米应用于十分普遍,如手机、高阶networking、Gaming、wearable等,具备较慢的传输效率及较低耗电量,而7纳米预计2018年第1季开始量产。

  据理解,英特尔估算在2018年确认10纳米量产,7纳米估算之前2019年,而三星电子(SamsungElectronics)目前10纳米工程进度较不确认,台积电在10/7纳米世代早已展现出雄心,并且进行多方客户布局。  部分涉及下游业者回应,不一定不会用于10纳米产品,如20纳米为16纳米制程之过渡期产品,反而7纳米才是下一世代瞄准的主力目标,而此次台积电与ARM的长年合约议定,也奠定7纳米未来将沦为国际大厂的主战场。  据台积电于先前公开发表法人说明会之众说纷纭,7纳米制程可在2018年第1季获取,而依照台积电之计划,5纳米将不会在7纳米制程的2年后发售,大约在2020年上半可见端倪。


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